台积电2nm、Intel 18A工艺首次对比：一个更密、一个更快

2月14日消息，半导体研究机构TechInsights、SemiWiki公布了台积电N2 2nm级别、Intel 18A 1.8nm级别两大尖端工艺的诸多细节，并进行了正面对比，发现各有优势。

但需要首先强调，因为目前官方资料还不全，而且不同厂商的工艺各有特色，很难直接对比优劣，所以本文仅供参考，实际表现取决于具体产品。

Intel 18A官方称进展顺利，将在今年下半年投入量产，首款产品代号Panther Lake，主要面向笔记本移动端。

台积电N2也会在今年下半年大规模量产，首发客户还是苹果，AMD Zen6预计也会使用。

根据研究，台积电N2的高密度标准单元(HD standard-cell)晶体管密度为每平方毫米3.13亿个，超过Intel 18A的每平方毫米2.38亿个、三星SF2(原名SF3P)的每平方毫米2.31亿个。

当然，这里说的只是按照标准单元晶体管的统计，但在实际应用中，不同工艺节点有自己的特殊设计，比如台积电的FinFlex、NanoFlex，不同产品更会使用不同的晶体管单元，包括高密度(HD)、高性能(HP)、低功耗(LP)。

性能方面，TechInsights相信，Intel 18A对比台积电N2、三星SF2都有优势，不过这个也取决于具体产品。

TechInsights的计算方法也存在疑问，因为他是以台积电N16FF 16nm、三星14nm作为基准，按照各自宣布的提升幅度，计算而来的，肯定存在偏差。

另外，Intel 18A工艺引入了PowerVia背部供电技术，可以大大提升晶体管密度和性能，台积电N2是没有的。

功耗方面，TechInsights分析认为，台积电N2要比三星SF2更省电，而能效也是台积电的一贯优势。

至于Intel方面，还需要观察，相信不会太差。